Геннадий Красников

Образование

В 1981 году с отличием окончил Московский институт электронной техники по специальности автоматика и электроника.

Профессиональный опыт

Большая часть трудовой биографии связана с заводом «Микрон», где с 1981 по 1991 гг. он прошел путь от инженера до генерального директора.
С 2003 года – генеральный конструктор – научный руководитель компании «Ситроникс».
С 2005 года – генеральный директор в «НИИМЭ и Микрон», вице-президент «Ситроникса», руководитель бизнес-направления «Микроэлектронные решения» компании «Ситроникс».
С 2006 года – член Совета при Президенте РФ по науке, технологиям и образованию, сопредседатель Совета по наукоемким технологиям при Комитете Государственной Думы РФ по науке и технологиям.
Доктор технических наук, профессор, академик РАН. Лауреат премии Правительства РФ в области науки и техники.
Имеет правительственные награды: орден «За заслуги перед Отечеством» IV степени, орден Почета и медали.
Автор 264 научных работ, 32 изобретений, 3 монографий. Научные работы посвящены созданию сверхбольших интегральных схем (СБИС) и проблемам обеспечения качества их промышленного производства. Является членом редакционных коллегий журналов «Микроэлектроника» РАН и «Электроника: наука, технология, бизнес».
Возглавляет кафедру субмикронной технологии СБИС в Московском государственном институте электронной техники.
Деятельность Г.Я. Красникова на протяжении последних 17 лет позволила сохранить для страны ведущее предприятие и научно-исследовательскую базу микроэлектроники, «НИИМЭ и завод «Микрон».
В настоящее время Геннадий активно участвует в разработке стратегии развития отечественной микро- и наноэлектроники.
Под его руководством был реализован проект модернизации производства до уровня 0,18 микрон, продвинувший российскую полупроводниковую промышленность на 4 поколения вперед от существовавшего уровня. Совместно с «Роснано» начат план развития производства по технологиям уровня 90нм.