В 1980 году окончил Московский институт электронной техники по специальности «автоматика и электроника», квалификация – инженер-физик.
Доктор технических наук, профессор кафедры интегральной электроники и микросистем МИЭТ.
С 1980 года по 1990 год − инженер, старший инженер, начальник лаборатории НИИ (ныне «НИИМЭ и Микрон»).
С 1990 года по 2005 год работал в ГНЦ РФ ГУ НПК «Технологический центр» МИЭТ: начальник научно-исследовательской лаборатории, заместитель директора по научной работе.
В 2005 году – заместитель генерального директора по научной работе – главный конструктор «НИИМЭ и Микрон».
Внес вклад в разработку оперативного метода анализа и расчета параметров биполярных полупроводниковых структур, принципов создания SPICE-моделей МЭМС, создание элементной базы для разработки радиоэлектронной аппаратуры нового поколения, организацию серийного производства кремниевых интегральных микроэлектронных датчиков.
Лауреат премии Правительства РФ (2001, 2007); награжден орденом «Дружбы народов» и медалью «В память 850-летия Москвы».
Группа компаний «Микрон» — крупнейший в России и СНГ производитель и экспортер микроэлектроники — входит в отраслевой холдинг РТИ. Головная компания группы, «НИИМЭ и Микрон» — предприятие с почти полувековой историей, технологический лидер российской полупроводниковой отрасли. «НИИМЭ и Микрон» занимается научными исследованиями, разработкой, производством и реализацией интегральных микросхем, в том числе на экспорт.
В 2012 году запущена линия по производству микрочипов с топологическим уровнем 90 нм. Запуск новой линии позволит нарастить производственную мощность завода в два раза до 36 тысяч пластин диаметром 200 мм в год.
Проект реализован совместно с государственной корпорацией «Роснано» в партнерстве с европейским лидером отрасли STMicroelectronics.